Descripción general Este transistor de potencia de efecto de campo en modo de mejora de canal N que utiliza la tecnología DMOS de banda plana avanzada del semiconductor SAMWIN destinada a sistemas operados con baterías, como un control de motor convertidor CC-CC, amplificadores de audio y amplificadores de audio. Además, está especialmente diseÑado para minimizar el RDS (ON), la baja carga de la puerta y las características de alta resistencia a las avalanchas.